形成非易失性存储器件的方法

摘要

一种形成非易失性存储器件的方法，包括形成第一掩模图形，该第一掩模图形在其间可以具有相对大的距离。形成保形地覆盖第一掩模图形的距离调整层。在第一掩模图形之间的距离调整层上的沟槽中形成第二掩模图形。

主权项

1.一种形成非易失性存储器件的方法，该方法包括：在衬底上的刻蚀目标层上形成第一掩模图形，该第一掩模图形包括源极掩模线、串选择掩模线以及设置在源极掩模线和串选择掩模线之间的多个第一单元掩模线；形成保形地覆盖第一掩模图形并限定在其上的沟槽的距离调整层，该沟槽在相邻的第一掩模图形对之间并平行于相邻的第一掩模图形对延伸；在第一掩模图形之间的沟槽中形成第二掩模图形，该第二掩模图形包括在邻近于源极掩模线的沟槽中的接地选择掩模线和邻近于第一单元掩模线的另一沟槽之一中的多个第二单元掩模线；各向异性地刻蚀在该接地选择掩模线、串选择掩模线、第一单元掩模线以及第二单元掩模线的两侧上的距离调整层，以露出部分刻蚀目标层；以及使用该接地选择掩模线、串选择掩模线、第一单元掩模线以及第二单元掩模线作为蚀刻掩模，构图该刻蚀目标层，以分别形成接地选择栅极线、串选择栅极线和多个单元栅极线。