| 发明名称 | 发射机应答器装置 | ||
| 摘要 | 一种发射机应答器装置，其包括具有半导体衬底的集成CMOS电路。第一整流二极管(DS)由CMOS电路的衬底二极管构成。第一MOS晶体管结构(DR1)和第二MOS晶体管结构(DR2)将它们的沟道串联起来，以使它们起到第二整流二极管(DR)的作用，第一整流二极管(DS)的阴极与第二整流二极管(DR)的阳极相连接。第一MOS晶体管结构(DR1)和第二MOS晶体管结构(DR2)相互隔离开来，以保证两个MOS晶体管结构之间的距离足够大，使得第一和第二MOS晶体管结构在衬底中所构成的寄生npn结构具有可忽略的电流增益。 | ||
| 申请公布号 | CN101213566A | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200680024034.8 | 申请日期 | 2006.05.02 |
| 申请人 | 德克萨斯仪器德国股份有限公司 | 发明人 | R·甘兹 |
| 分类号 | G06K19/07(2006.01) | 主分类号 | G06K19/07(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 1.一种发射机应答器装置，其包括：半导体衬底中的集成CMOS电路；第一整流二极管(DS)，其由CMOS电路的衬底二极管构成；第一MOS晶体管结构(DR1)和第二MOS晶体管结构(DR2)，它们的沟道被串联连接以使它们起第二整流二极管(DR)的作用，所述第一整流二极管(DS)的阴极与所述第二整流二极管(DR)的阳极相连接；其中所述第一MOS晶体管结构和所述第二MOS晶体管结构相互隔离开来，以保证两个MOS晶体管结构之间的距离足够大，从而使得所述第一和第二MOS晶体管结构(DR1，DR2)在所述衬底中所构成的寄生npn结构具有可忽略的电流增益。 | ||
| 地址 | 德国弗赖辛 | ||