| 发明名称 | 具有球形凹入沟道的半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种用于制造具有球形凹入沟道的半导体器件的方法，包括：形成掩模层在半导体基板上，以暴露能够形成用于球形凹入沟道的沟槽的区域；形成沟槽在该半导体基板中；在半导体基板的暴露区域中，朝3－维径向以预定倾斜角注入掺杂离子；移除掩模层；形成栅极堆在包括沟槽的区域中；以及形成源极/漏极在半导体基板中。 | ||
| 申请公布号 | CN101211788A | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200710181155.X | 申请日期 | 2007.10.12 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李民镛;殷庸硕;朴东洙;张准洙 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/266(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 许向华;彭久云 |
| 主权项 | 1.一种用于制造具有球形凹入沟道的半导体器件的方法，包括：形成掩模层在半导体基板上，以暴露能够形成用于球形凹入沟道的沟槽的区域；形成该沟槽在该半导体基板中；在该半导体基板的暴露区域中朝3-维径向以预定倾斜角注入掺杂离子；移除该掩模层；形成栅极堆在包括该沟槽的区域中；和形成源极/漏极在该半导体基板中。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||