| 发明名称 | 金属吸附装置及方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供为了通过金属诱导结晶化方式使硅结晶化而将金属或金属化合物吸附于非晶质硅薄膜上的装置及吸附方法。本发明的金属吸附装置(10)包含：供给含有金属的源气体的源气体供给部(11)；供给辅助气体的辅助气体供给部(12)；通过源气体与辅助气体的反应而使金属吸附于非晶质硅薄膜上的反应室(16)；以及通过调节吸附压力、吸附时间和吸附温度中的至少一个来控制吸附于非晶质硅薄膜上的金属的量的控制部(18)。 | ||
| 申请公布号 | CN101211763A | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200710305935.0 | 申请日期 | 2007.12.27 |
| 申请人 | 泰拉半导体株式会社 | 发明人 | 张泽龙;李炳一;李永浩;张锡弼 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陈建全 |
| 主权项 | 1.金属吸附装置，其是为了通过金属诱导结晶化方式使硅结晶化而将金属吸附在非晶质硅上的装置，其特征在于，其包含：供给含有金属的源气体的源气体供给部；供给辅助气体的辅助气体供给部；通过所述源气体与所述辅助气体的反应来使金属吸附在所述非晶质硅上的反应室；以及通过调节吸附压力、吸附时间和吸附温度中的至少一个来控制吸附在所述非晶质硅上的金属的量的控制部。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||