| 主权项 |
1.一种发光装置,系复数画素电路被排列于一方向 之发光装置,其特征为: 各前述复数画素电路,具备: 发出因应于驱动电流的电流量的强度的光之发光 元件, 对前述发光元件供给前述驱动电流之驱动电晶体, 将透过资料线供给的资料讯号供给至前述驱动电 晶体之保持电晶体,及 连接前述驱动电晶体与前述保持电晶体之连接配 线; 于与前述复数画素电路的排列方向交叉的方向上, 被配置排列前述保持电晶体、前述发光元件以及 前述驱动电晶体,在前述保持电晶体与前述驱动电 晶体之间配置前述发光元件。 2.如申请专利范围第1项之发光装置,其中 于前述驱动电晶体,透过第1电源配线被供给第1电 源电压, 前述发光元件,具有:与前述驱动电晶体连接的第1 电极,与透过第2电源配线被供给第2电源电压之第2 电极; 使前述第1电源配线与前述第2电源配线,配置于被 形成前述复数画素电路的区域之外,而在前述驱动 电晶体侧。 3.如申请专利范围第1或2项之发光装置,其中 于邻接的画素电路,使前述发光元件配置为交错状 。 4.如申请专利范围第3项之发光装置,其中 前述发光元件之前述画素电路的排列方向的长度, 系比前述复数画素电路间之间距还要长。 5.如申请专利范围第2项之发光装置,其中 前述驱动电晶体以及前述发光元件,具有由复数之 层所构成的层积构造, 于前述复数之层,包含:第1层配线、第2层配线、构 成前述第2电极的第3层配线、设于前述第1层配线 与第2层配线之间的第1层间绝缘层及设于前述第2 层配线与前述第3层配线之间的第2层间绝缘层; 前述第1电源配线系使用前述第1层配线以及前述 第2层配线来形成, 前述第2电源配线系使用前述第2层配线以及前述 第3层配线来形成。 6.如申请专利范围第2项之发光装置,其中 前述驱动电晶体以及前述发光元件,具有由复数之 层所构成的层积构造, 于前述复数之层,包含:第1层配线、第2层配线、构 成前述第2电极的第3层配线、构成前述第1电极的 第4层配线、设于前述第1层配线与第2层配线之间 的第1层间绝缘层及设于前述第2层配线与前述第3 层配线之间的第2层间绝缘层; 前述第1电源配线系使用前述第1层配线以及前述 第2层配线来形成, 前述第2电源配线系使用前述第2层配线、前述第3 层配线以及前述第4层配线来形成。 7.如申请专利范围第1或2项之发光装置,其中 前述第1电极系前述发光元件之阳极,前述第2电极 系前述发光元件的阴极。 8.如申请专利范围第2、5或6项之发光装置,其中具 备: 被设于与前述复数画素电路的排列方向平行,分别 与前述复数画素电路连接之复数资料线, 具有第1端面与第2端面而在其间以前述复数资料 线、前述保持电晶体、前述发光元件、前述驱动 电晶体、前述第1电源配线以及前述第2电源配线 的顺序形成的基板,及 以覆盖前述复数资料线、前述保持电晶体、前述 发光元件、前述驱动电晶体、前述第2电源配线以 及前述第1电源配线的方式与前述基板连接的密封 构件。 9.如申请专利范围第2、5或6项之发光装置,其中具 备: 被设于与前述复数画素电路的排列方向平行,分别 与前述复数画素电路连接之复数资料线, 具有第1端面与第2端面而在其间以前述复数资料 线、前述保持电晶体、前述发光元件、前述驱动 电晶体、前述第2电源配线以及前述第1电源配线 的顺序形成的基板,及 以覆盖前述复数资料线、前述保持电晶体、前述 发光元件、前述驱动电晶体、前述第1电源配线以 及前述第2电源配线的方式与前述基板连接的密封 构件; 前述第1电极系前述发光元件之阳极,前述第2电极 系前述发光元件的阴极。 10.一种影像形成装置,其特征为具备: 藉由光线的照射而被形成影像的感光体,及 对前述感光体照射光线而形成前述影像的头(head) 部; 将申请专利范围第1项至第9项之任一项之发光装 置使用于前述头部。 图式简单说明: 图1系显示本发明之发光装置的构成之方块图。 图2系显示该装置之输入ESD保护单元之电略图。 图3系显示该装置之输出ESD保护单元之电路图。 图4系显示该装置的画素电路之电路图。 图5系显示资料讯号与驱动电流的关系之波形图。 图6系显示画素方块与资料线之配线构造之平面图 。 图7系显示图6所示之Z1-Z1'线之剖面图。 图8系显示图6所示之Z2-Z2'线之剖面图。 图9系显示影像形成装置之一例之纵剖侧面图。 图10系显示影像形成装置之其他例之纵剖侧面图 。 图11系显示发光装置之外观构成之立体图。 图12系显示以线S-S'切断该装置之剖面之一例之剖 面图。 图13系显示以线S-S'切断该装置之剖面之其他例之 剖面图。 |
