非挥发性记忆体

摘要

一种非挥发性记忆体,包括基底、多个NAND型记忆胞区块、多个虚拟选择闸极线与多个井区延伸结构。基底中设置有第一导电型井区。多个NAND型记忆胞区块设置于基底上,且在行方向上成镜像配置。NAND型记忆胞区块各包括多个记忆胞行、多条选择闸极线、多条源极线与多条位元线。这些记忆胞行配置成一行/列阵列,在列的方向上每隔N行记忆胞行(N为正整数)设置有两行虚拟记忆胞行。每相邻两NAND型记忆胞区块的源极线之间设置有二虚拟选择闸极线。井区延伸结构设置于二虚拟选择闸极线之间的基底上,且位于虚拟位元线下,并电性连接虚拟位元线与第一导电型井区。