发明名称 晶片封装模组之导电层构造及其制造方法
摘要 本发明主要系在晶片封装模组的绝缘层底部开设有至少一个贯穿至基材顶面的穿透孔,并且在各穿透孔的内壁建构绝缘材料,让后续建构在绝缘层外围的导电层得以经由穿透孔延伸到基材的上方,最后再建构焊遮层以及电路接脚,俾构成一种可被完全包覆防止氧化,以及可确保晶片封装之稳定性不会因外力干扰而断裂之导电层结构。
申请公布号 TW200828543 申请公布日期 2008.07.01
申请号 TW095150097 申请日期 2006.12.29
申请人 精材科技股份有限公司 发明人 刘建宏
分类号 H01L23/48(2006.01);H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L23/48(2006.01)
代理机构 代理人 林清汉
主权项
地址 桃园县中坜市吉林路25号4楼