| 发明名称 | 超导腔的干式处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种超导腔的干式处理方法，其特征在于，将超导腔作为阴极、基片作为阳极，在真空条件下电离惰性气体，利用电离后产生的等离子体对超导腔表面进行溅射处理，其中，所述的基片是吸附气体能力强的金属或合金。与化学抛光、电抛光相比，它是一种洁净处理超导腔的方法，没有酸的危险和对环境的污染，而且处理后不会残留液体在腔表面上，处理装置的结构简单，容易控制。另外，它为超导腔提供了室温下的MP锻炼，使腔的MP得到很好的遏制。 | ||
| 申请公布号 | CN100396818C | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200510082813.0 | 申请日期 | 2005.07.08 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 郝建奎;赵夔;黄森林;焦飞 |
| 分类号 | C23F4/04(2006.01) | 主分类号 | C23F4/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人 | 陈美章 |
| 主权项 | 1.一种超导腔的干式处理方法，其特征在于，将纯铌超导腔作为阴极、基片作为阳极，在真空条件下电离惰性气体，利用电离后产生的等离子体对纯铌超导腔表面进行溅射处理，其中，所述的基片是吸附气体能力强的金属或合金。 | ||
| 地址 | 100871北京市海淀区颐和园路5号 | ||