发明名称 |
提升牺牲电极金属释放率的表面处理方法及牺牲电极 |
摘要 |
本发明揭示一种提升牺牲电极金属离子释放率及其使用寿命的表面处理方法,包括于电极表面产生蚀刻及电化学反应以形成高密度微细孔洞,并继续在孔洞中植入氯离子。孔洞中的氯离子可于牺牲电极在通电使用的状态下避免钝化层生成的效果。 |
申请公布号 |
CN100396821C |
申请公布日期 |
2008.06.25 |
申请号 |
CN200310117398.9 |
申请日期 |
2003.12.12 |
申请人 |
财团法人工业技术研究院 |
发明人 |
金光祖;汤鸿祥;詹舒斐;陈文藏 |
分类号 |
C25B11/03(2006.01);C25D17/10(2006.01);C02F1/463(2006.01) |
主分类号 |
C25B11/03(2006.01) |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 |
代理人 |
李柏 |
主权项 |
1.一种提高牺牲电极金属离子释放率的表面处理方法,包含下列步骤:a)对一表面平坦的金属电极施予一表面孔洞化处理,使电极表面形成微细孔洞,其中该金属电极为铁、铝或铜电极;及b)对步骤a)所形成的表面具有孔洞的电极进行离子植入,以将氯离子、溴离子或碘离子植入于这些孔洞内;其中步骤a)于电极表面所形成的微细孔洞具有每平方公分大于104个孔洞的密度,及该孔洞具有小于20微米的开口。 |
地址 |
台湾省新竹县竹东镇中兴路四段195号 |