| 发明名称 | 等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 等离子体处理装置具有收容基板(11)的腔室(1)、产生微波的高频电源(5)、和将微波放射至腔室(1)内的天线部(3)。在高频电源(5)中产生的微波，由导波管(6)送至天线部(3)。构成腔室(1)的隔壁的一部分的顶板部(4)配置在腔室(1)的上部。在该顶板部(4)的外周部分上，呈环状设置有使微波的传播延迟的由与顶板部(4)相同的材质构成的规定的路径延迟部(2)。这样，在等离子体处理装置中，可以抑制异常放电和异物的产生。 | ||
| 申请公布号 | CN100397588C | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN03816209.1 | 申请日期 | 2003.08.15 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 石桥清隆;野泽俊久 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种等离子体处理装置，将基板(11)暴露在等离子体生成区域(22)中，对基板(11)进行规定的处理，其特征在于，该等离子体处理装置具有：收容基板(11)用的腔室(1)；构成所述腔室(1)的隔壁的一部分的顶板部(4)；通过所述顶板部(4)将高频电磁场供给所述腔室(1)内，在所述顶板部(4)和收容在所述腔室(1)内的所述基板(11)之间的区域中形成等离子体生成区域(22)的天线部(3)；和在所述顶板部的厚度方向突出的路径延迟部(2)，该路径延迟部可使在所述顶板部(4)中传播的高频电磁场分支，并在使分支的高频电磁场与不分支地在所述顶板部(4)中传播的高频电磁场再次合流时，如在所述顶板部(4)中传播的高频电磁场的波长为λ时，使分支的高频电磁场的相位相对于不分支地在所述顶板部(4)中传播的高频电磁场的相位成为偏移λ/2的奇数倍的偏移状态。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||