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COMUTADOR CMOS DE BAIXA TENSãO COM NOVO ESQUEMA DE INTENSIFICAçãO DE RELóGIO São descritos um método e um equipamento para intensificar as tensões de porta de um comutador CMOS utilizado em um circuito integrado designado a um processo CMOS sub-micrométrico. O comutador CMOS é acoplado a nós Ventrada e Vsaída e contém portas PMOS e NMOS. Dois circuitos de intensificação são utilizados para alterar a tensão nas portas PMOS e NMOS, respectivamente. A tensão na porta NMOS é intensificada de V~ DD~ até (V~ DD~ + K x V~ DD~). A tensão na porta PMOS é diminuída de VGND até (VGND - k x VGND). O fator k é escolhido de modo que Vsaída possa ser amostrada através de toda a faixa de Ventrada = V~ GND~ a V~ DD~, mesmo no caso de V~ DD~ se aproximar da soma dos valores absolutos das tensões limite dos respectivos transistores PMOS e NMOS.
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