| 主权项 |
1.一种处理晶圆的方法,该方法包含: 施加一绝缘被覆溶液在一半导体晶片中复数个中 至少一个保险丝盒的表面上,藉以防止湿气或杂质 渗入到该保险丝盒中。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中施加该被覆溶 液系在调整该保险丝之后来进行。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中施加该被覆溶 液系在切断或修护该保险丝之后来进行。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中该被覆溶液系 施加到该保险丝盒上,其厚度约为5-30 m。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中该被覆溶液包 含聚醯亚胺、紫外线墨水及红外线墨水中的一种 。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中该被覆溶液系 在施加该被覆溶液期间利用一微细喷嘴施加到该 保险丝盒上。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中该被覆溶液系 在施加该被覆溶液期间经由一扫描方法利用一微 细刷子施加到该保险丝盒上。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中施加该绝缘被 覆溶液系在对于该半导体晶片执行一晶圆级电性 测试之后来进行。 9.一种半导体晶片,包括: 一基板; 一形成在该基板上的阻隔层; 一形成本该基板上的保险丝,其中该阻隔层具有一 开口,穿过其中来暴露出该保险丝;及 一覆盖该暴露的保险丝之绝缘层,该绝缘层系由施 加一绝缘被覆溶液在该暴露的保险丝上所形成。 10.如申请专利范围第9项之半导体晶片,其中该绝 缘被覆溶液包含聚醯亚胺、紫外线墨水及红外线 墨水中的一种。 11.如申请专利范围第9项之半导体晶片,其中该被 覆溶液系施加到该暴露的保险丝上,其厚度约为5- 30 m。 12.如申请专利范围第9项之半导体晶片,其中该阻 隔层包含依序堆叠的绝缘层及放置于其间之金属 线。 13.如申请专利范围第12项之半导体晶片,其中该阻 隔层进一步包含在其上方的一钝化层。 图式简单说明: 图1为一习用保险丝盒的平面图; 图2为图1之保险丝盒沿着线II-II'之横截面图; 图3为一保险丝盒的平面图,其用以解释根据本发 明一具体实施例之处理晶圆的方法; 图4及5为图3之保险丝盒沿着线IV-IV'之横截面图;及 图6为一保险丝盒的平面图,其用以解释根据本发 明另一具体实施例之处理晶圆的方法;及 图7为图6之保险丝盒沿着线VII-VII'之横截面图。 |
