| 发明名称 | SONOS快闪存储器的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种SONOS快闪存储器的制作方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多晶硅栅极结构、位于多晶硅栅极结构之间的介质层以及半导体衬底内位于栅极结构两侧的源极和漏极，所述多晶硅栅极结构具有作为栅极的第一多晶硅层；在多晶硅栅极结构以及介质层表面形成第二多晶硅层；刻蚀第二多晶硅层和第一多晶硅层形成字线；采用湿法刻蚀工艺刻蚀第二多晶硅层和第一多晶硅层。本方法避免在介电层的侧壁产生多晶硅残留，而且不会对第一多晶硅层和第二多晶硅层造成过刻蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN101197328A | 申请公布日期 | 2008.06.11 |
| 申请号 | CN200610119062.X | 申请日期 | 2006.12.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 徐丹;蔡信裕;陈文丽 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/306(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种SONOS快闪存储器的制作方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多晶硅栅极结构、位于多晶硅栅极结构之间的介电层以及半导体衬底内位于栅极结构两侧的源极和漏极，所述多晶硅栅极结构具有作为栅极的第一多晶硅层；在多晶硅栅极结构以及介电层表面形成第二多晶硅层；刻蚀第二多晶硅层和第一多晶硅层形成字线；采用湿法刻蚀工艺刻蚀第二多晶硅层和第一多晶硅层的步骤。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||