发明名称 | 半导体元件热辐射结构及散热器 | ||
摘要 | 根据本发明的半导体元件的热辐射结构,通过:对散热器的安装座的底表面上提供用于导热片的凹陷;将导热片设置在此凹陷中;以及将功率FET的源极螺纹连接到散热器的安装座的底表面上,这就有可能在不损坏功率FET的内部中的半导体芯片以及不使得电特性恶化的情况下有效地发散半导体元件所产生的热。 | ||
申请公布号 | CN100394589C | 申请公布日期 | 2008.06.11 |
申请号 | CN200410104964.7 | 申请日期 | 2004.12.15 |
申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 早川诚 |
分类号 | H01L23/36(2006.01) | 主分类号 | H01L23/36(2006.01) |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
主权项 | 1.一种半导体元件的热辐射结构,包括:导电散热器,所述导电散热器的用于固定半导体元件的安装表面上具有凹陷;导热片,所述导热片通过被推入所述凹陷并与所述半导体元件部分相接触而将热从所述半导体元件传输到所述散热器;以及半导体元件,所述半导体元件具有与由第一电极所形成的所述安装表面相接触的表面,半导体元件被固定到所述安装表面,所述导热片被夹持在所述半导体元件与安装表面之间,所述第一电极的一部分与所述导热片相紧密接触,所述第一电极的另外部分与所述散热器的安装表面电接触。 | ||
地址 | 日本东京都 |