| 发明名称 | CMOS器件应力膜的形成方法和CMOS器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种形成CMOS器件应力膜的方法，所述CMOS器件包括NMOS晶体管和PMOS晶体管，所述方法包括下列步骤：在所述NMOS晶体管和PMOS晶体管表面沉积应力膜；在所述应力膜表面涂布光致抗蚀剂层；图案化所述光致抗蚀剂层使所述光致抗蚀剂层覆盖所述PMOS晶体管表面的应力膜并露出所述NMOS晶体管表面的应力膜；紫外线照射所述NMOS晶体管表面的应力膜；移除所述光致抗蚀剂层。本发明能够在NMOS晶体管和PMOS晶体管表面形成连续的应力膜，而且简化了工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN101197324A | 申请公布日期 | 2008.06.11 |
| 申请号 | CN200610119151.4 | 申请日期 | 2006.12.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 宁先捷 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01);H01L27/092(2006.01);H01L21/3105(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种形成CMOS器件应力膜的方法，所述CMOS器件包括NMOS晶体管和PMOS晶体管，所述方法包括下列步骤：在所述NMOS晶体管和PMOS晶体管表面沉积应力膜；在所述应力膜表面涂布光致抗蚀剂层；图案化所述光致抗蚀剂层使所述光致抗蚀剂层覆盖所述PMOS晶体管表面的应力膜并露出所述NMOS晶体管表面的应力膜；紫外线照射所述NMOS晶体管表面的应力膜；移除所述光致抗蚀剂层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||