| 发明名称 | 用可弃式间隔物提高的源极与漏极工艺 | ||
| 摘要 | 一种用以在半导体制造过程中形成提高的源极与漏极区域(26，48)的方法，其采用双可弃式间隔物(20，24，40，46)。在该第一及第二可弃式间隔物(20，24，40，46)之间提供沉积的氧化物(22，42)，且该沉积的氧化物是在干蚀刻该较大的第二可弃式间隔物(24，46)的过程中适用以保护栅极电极(14，34)、第一可弃式间隔物(20，40)、以及覆盖层(cap layer)(16，36)。从而防止鼠耳状物(mouse ear)，而第二可弃式间隔物(24，46)的使用是在环状(halo)离子注入的过程中避免遮蔽效应(shadow－effect)。 | ||
| 申请公布号 | CN101194350A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200680020111.2 | 申请日期 | 2006.04.19 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | J·范米尔;H·钟 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊 |
| 主权项 | 1.一种形成提高的源极与漏极区域的方法，包括下列步骤：在衬底(10，30)上形成栅极电极(14，34)；在该栅极电极(14，34)的各个侧壁上形成双可弃式间隔物(20，24，40，46)；在该衬底(10，30)上形成提高的源极/漏极区域(26，48)；以及去除双可弃式间隔物(20，24，40，46)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||