| 发明名称 | 晶片的干燥方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种晶片的干燥方法，包括步骤：将晶片放置在干燥器的片架上；将所述片架降入所述干燥器内的水槽中；利用所述水槽中的去离子水对所述晶片进行冲洗；将所述片架缓慢提升，同时向所述干燥器内通入氮气；当所述片架提升至所述晶片即将露出水面时，利用所述水槽下的开口排出去离子水；停止通入氮气，取出晶片。本发明的晶片干燥方法，用于半导体制作领域，通过增加晶片与N<SUB>2</SUB>的接触时间，达到提高干燥效果的目的，可以同时满足不损伤晶片表面的光刻胶图形和具有良好的干燥效果的要求。 | ||
| 申请公布号 | CN101191692A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200610118832.9 | 申请日期 | 2006.11.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 吕宗龙 |
| 分类号 | F26B5/00(2006.01);F26B5/16(2006.01) | 主分类号 | F26B5/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种晶片的干燥方法，包括步骤：将晶片放置在干燥器的片架上；将所述片架降入所述干燥器内的水槽中；利用所述水槽中的去离子水对所述晶片进行冲洗；将所述片架缓慢提升，同时向所述干燥器内通入氮气；当所述片架提升至所述晶片即将露出水面时，利用所述水槽下的开口排出去离子水；停止通入氮气，取出晶片。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||