薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

摘要

本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序：在基片上形成栅极线；在栅极线上依次沉积栅极绝缘层和半导体层；在半导体层上依次沉积下层导电薄膜和上层导电薄膜；光蚀刻上层导电薄膜、下层导电薄膜、和半导体层；沉积钝化层；光蚀刻钝化层以露出上层导电薄膜的第一和第二部分；除去上层导电薄膜的第一和第二部分以露出下层导电薄膜的第一和第二部分；形成像素电极和一对分别在下层导电薄膜第一和第二部分上的冗余电极，冗余电极露出下层导电薄膜第二部分的一部分；除去下层导电薄膜第二部分的露出部分以露出半导体层的一部分；以及在半导体层的露出部分上形成柱状隔离物。

主权项

1.一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序：在基片上形成栅极线；依次在所述栅极线上沉积栅极绝缘层和半导体层；在所述半导体层上沉积下层导电薄膜和上层导电薄膜；对所述下层导电薄膜、所述上层导电薄膜、和所述半导体层进行光蚀刻；沉积钝化层；对所述钝化层进行光蚀刻以露出所述上层导电薄膜的第一和第二部分；除去所述上层导电薄膜的第一和第二部分以露出所述下层导电薄膜的第一和第二部分；在所述下层导电薄膜的第一和第二部分上分别形成像素电极和一对冗余电极，所述冗余电极露出所述下层导电薄膜的第二部分中的一部分；除去所述下层导电薄膜的第二部分的露出部分以露出所述半导体层的一部分；以及在所述半导体层的露出部分上形成柱状隔离物。