| 发明名称 | 半导体装置及半导体封装体 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置及半导体封装体，通过有效活用凸块电极下部的区域，可以有助于半导体装置的小型化，而且不会破坏钝化膜的平坦性。作为解决手段，半导体装置在最上层布线的一部分上具有电极焊盘，该半导体装置包括：形成于所述电极焊盘上的钝化膜；以及形成于所述钝化膜上并与所述电极焊盘电连接的外部连接用的凸块电极。并且，所述电极焊盘形成得小于所述凸块电极。另外，使所述最上层布线的一部分形成于所述凸块电极的下部。 | ||
| 申请公布号 | CN101192581A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200710162627.7 | 申请日期 | 2007.10.15 |
| 申请人 | 冲电气工业株式会社 | 发明人 | 山本洋;武市英司 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01);H01L23/488(2006.01) | 主分类号 | H01L23/485(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄纶伟 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，该半导体装置在最上层布线的一部分上具有电极焊盘，该半导体装置的特征在于，该半导体装置包括：钝化膜，其形成于所述电极焊盘上，并具有开口部；以及外部连接用的凸块电极，其形成于所述钝化膜上，通过所述开口部与所述电极焊盘电连接，所述电极焊盘形成得小于所述凸块电极，所述最上层布线的一部分形成于所述凸块电极的下部。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||