| 发明名称 | 一种电可擦除存储器隧穿氧化层的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种电可擦除存储器隧穿氧化层的形成方法，包括如下顺序步骤：步骤一、生长一层氧化层；步骤二、在步骤一氧化层上涂布一层BARC；步骤三、再涂布一层光刻胶；步骤四、进行曝光和显影；步骤五、采用等离子干法刻蚀BARC，再刻蚀一定厚度的所述氧化层；步骤六、以一定浓度的氢氟酸刻蚀掉步骤五过刻蚀后剩余的氧化层；步骤七、进行湿法去胶，并测量寸法；步骤八、生长一层隧道氧化物。本发明方法由于在工艺中结合了干加湿的氧化膜刻蚀方法，可以得到较小的Tunnel window线宽，从而实现了小尺寸的EEPROM。 | ||
| 申请公布号 | CN101192521A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200610118548.1 | 申请日期 | 2006.11.21 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈昊瑜;龚新军;杨华;迟玉山;吕煜坤 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁;李隽松 |
| 主权项 | 1.一种电可擦除存储器隧穿氧化层的形成方法，其特征在于，包括如下顺序步骤：步骤一、生长一层氧化层；步骤二、在步骤一所述氧化层上涂布一层BARC；步骤三、再涂布一层光刻胶；步骤四、进行曝光和显影；步骤五、采用等离子干法刻蚀BARC，再刻蚀一定厚度的所述氧化层；步骤六、以一定浓度的氢氟酸刻蚀掉步骤五刻蚀后剩余的氧化层；步骤七、进行湿法去胶，并测量寸法；步骤八、生长一层隧道氧化物。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||