铟镓砷焦平面探测器的列阵微台面的制备方法

摘要

本发明公开了一种铟镓砷焦平面探测器的列阵微台面的制备方法，该方法先用Ar⁺离子干法刻蚀掉P型InP层，再用湿法化学腐蚀掉InGaAs吸收层，这样既可提高光敏面的图形保真度，又可减小InGaAs吸收层侧面损伤。并通过硫化处理，去掉表面氧化层，覆盖新的ZnS/聚酰亚胺双层钝化膜。ZnS层有效地起到抗反射和减小InP和InGaAs层表面态的作用，可以增加探测器的量子效率和减小暗电流，较厚聚酰亚胺层起到钝化加固和抗辐射作用，提高器件的长时间稳定性和可靠性。该工艺适用于均匀性要求高的大线列或面阵台面InGaAs焦平面探测器的研制。

主权项

1.一种铟镓砷焦平面探测器的列阵微台面的制备方法，其特征在于具体步骤如下：步骤A：在半绝缘InP衬底(1)上依次生长N型InP层(2)，InGaAs吸收层(3)，P型InP层(4)；步骤B：掩膜光刻台面图形，Ar+离子干法刻蚀掉台面图形以外的P型InP层(4)；步骤C：接着用湿法化学腐蚀掉台面以外的InGaAs吸收层(3)，形成列阵微台面；步骤D：硫化处理，去掉表面氧化层；步骤E：用热蒸发方法在样品的整个表面生长ZnS抗反射钝化层；步骤F：用匀胶甩胶法在ZnS抗反射钝化层上生长聚酰亚胺钝化层，构成一个由双层钝化层保护的InP/InGaAs/InP焦平面探测器的列阵微台面。