蚀刻方法、蚀刻装置、电脑程式及记忆媒体

摘要

对被处理体S表面形成之介电系数小于SiO2膜的蚀刻对象膜进行蚀刻处理的蚀刻方法。该蚀刻方法具备:载置工程,将被处理体S载置于可真空排气之处理容器12内的载置台16上;电浆化工程,对上述处理容器12内供给特定之蚀刻气体之同时,使该蚀刻气体电浆化;及施加工程,在电浆化之蚀刻气体存在下对上述载置台16施加特定频率之高频电力作为偏压电力。施加上述高频电力作为偏压电力的工程系具有:第1工程,其施加第1频率之高频电力作为上述偏压电力;及第2工程,其施加和上述第1频率不同的第2频率之高频电力作为上述偏压电力。