包含有多晶矽多层绝缘结构之非挥发性记忆细胞与含此细胞之记忆阵列及其操作方法

摘要

本发明系揭露一种记忆胞、此种记忆胞所组成之阵列、及其操作方法。此记忆胞包括一半导体层其包括有至少二源极/汲极区域接近此半导体层之表面并被一通道区域所分隔;一下绝缘层设置于此通道区域之上;一电荷储存层设置于此下绝缘层之上;一上绝缘多层结构设置于此电荷储存层之上,其中此上绝缘多层结构包括一多晶矽材料层插设于一第一介电层与一第二介电层之间;以及一闸极设置于此上绝缘多层结构之上。