METODO PARA DEPOSITAR CAPAS DE MATERIALES SEMICONDUCTORES DE ALTA CALIDAD.

摘要

Proceso para la deposición por plasma de una capa de material semiconductor del tipo en el que un gas de proceso que incluye un precursor de dicho material semiconductor es activado con energía electromagnética para así crear un plasma a base del mismo, cuyo plasma deposita una capa de dicho material semiconductor sobre un sustrato; estando dicho proceso caracterizado por un grupo de parámetros de deposición que comprende la composición del gas de proceso, la presión del gas de proceso, la densidad de potencia de dicha energía electromagnética y la temperatura del sustrato; donde se define un umbral entre el estado amorfo y el estado microcristalino para dichos parámetros de deposición de forma tal que hay un conjunto microcristalino de valores para dichos parámetros de deposición en el que cuando dicho material semiconductor es depositado bajo dichos parámetros el mismo es microcristalino, y un conjunto amorfo de valores para dichos parámetros de deposición en el que cuando dicho material semiconductor es depositado bajo dichos parámetros el mismo es amorfo, y donde dicho umbral entre el estado amorfo y el estado microcristalino varía durante la deposición de dicha capa semiconductora en función del espesor de la misma; donde el mejoramiento comprende en combinación la técnica de: mantener dichos parámetros de deposición al nivel de valores que están dentro de dicho conjunto amorfo pero son cercanos al umbral entre el estado amorfo y el estado cristalino durante todo el periodo de tiempo por espacio del cual dicha capa de material semiconductor está siendo depositada a base de variar el valor de al menos uno de dichos parámetros de deposición en función del espesor del material semiconductor que ha sido depositado.