| 发明名称 | 离子束角度扩散控制的技术 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种用于离子束角度扩散控制的技术。在一特定例示性实施例中，技术可实现为离子束角度扩散控制的方法。此方法可包括将一或多个离子束以两个或两个以上不同入射角导向一基板表面处，藉此使基板表面暴露于离子束入射角的一受控扩散中。 | ||
| 申请公布号 | CN101189696A | 申请公布日期 | 2008.05.28 |
| 申请号 | CN200680019884.9 | 申请日期 | 2006.06.07 |
| 申请人 | 瓦里安半导体设备公司 | 发明人 | 阿塔尔·古普塔;约瑟·C·欧尔森 |
| 分类号 | H01J37/147(2006.01);H01J37/317(2006.01) | 主分类号 | H01J37/147(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 1.一种用于离子束角度扩散控制的方法，包括：将一或多个离子束以两个或两个以上不同入射角导向基板表面处，藉此使所述基板表面暴露于离子束入射角的受控扩散中。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||