无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器

摘要

无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器，涉及一种光电探测器，尤其是涉及一种将光信号转换为电信号的铟铝镓氮/氮化镓(InAlGaN/GaN)PIN光电探测器。提供一种无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器。设有蓝宝石(Al₂O₃)衬底、GaN缓冲层、n－GaN层、i－InAlGaN光敏层、p－InAlN层和p－GaN顶层，从下至上GaN缓冲层、n－GaN层、i－InAlGaN光敏层、p－InAlN层和p－GaN顶层依次设在蓝宝石(Al₂O₃)衬底上，在p－GaN顶层上设有p电极，在n－GaN层上设有n电极。

主权项

1.无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器，其特征在于设有蓝宝石衬底、GaN缓冲层、n-GaN层、i-InAlGaN光敏层、p-InAlN层和p-GaN顶层，从下至上GaN缓冲层、n-GaN层、i-InAlGaN光敏层、p-InAlN层和p-GaN顶层依次设在蓝宝石衬底上，在p-GaN顶层上设有p电极，在n-GaN层上设有n电极。