| 发明名称 | 溅射镀膜离子束辐照增强方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种镀膜技术领域的溅射镀膜离子束辐照增强方法，包括如下步骤：第一步，将内置射频线圈放于镀膜室中基板前面，使叠加的等离子体产生在基板附近；第二步，对射频线圈的外表面进行完全绝缘化处理；第三步，将射频能量输入射频线圈，射频线圈发热，对射频线圈进行冷却；第四步，调整输入的射频功率，实现对辐照基板的离子束密度的控制，从而调整镀膜中离子束辐照作用。本发明方法中，辐照基板的离子束没有高能尾巴，离子束的密度和能量可以独立调节，输入的射频功率可高达数千瓦，镀膜室中的等离子体没有污染。 | ||
| 申请公布号 | CN101182628A | 申请公布日期 | 2008.05.21 |
| 申请号 | CN200710172154.9 | 申请日期 | 2007.12.13 |
| 申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 李铸国;黄坚;吴毅雄 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01);C23C14/54(2006.01) | 主分类号 | C23C14/34(2006.01) |
| 代理机构 | 上海交达专利事务所 | 代理人 | 王锡麟;王桂忠 |
| 主权项 | 1.一种溅射镀膜离子束辐照增强方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，将内置射频线圈放于镀膜室中基板前面，使叠加的等离子体产生在基板附近；第二步，对射频线圈的外表面进行完全绝缘化处理；第三步，将射频能量输入射频线圈，射频线圈发热，对射频线圈进行冷却；第四步，调整输入的射频功率，实现对辐照基板的离子束密度的控制，从而调整镀膜中离子束辐照作用。 | ||
| 地址 | 200240上海市闵行区东川路800号 | ||