硅－氧化物－氮化物－氧化物－硅快闪存储器及其制作方法

摘要

一种SONOS快闪存储器及其制作方法，制作方法包括：在半导体衬底上形成介质层－捕获电荷层－介质层的三层堆叠结构；在所述三层堆叠结构上依次形成第一多晶硅层、腐蚀阻挡层，所述第一多晶硅层的厚度为200～500；依次刻蚀腐蚀阻挡层和第一多晶硅层，形成开口；通过开口位置进行离子注入，在半导体衬底内形成源极和漏极；在开口内以及腐蚀阻挡层上形成介电层，并进行平坦化处理直至曝露出腐蚀阻挡层；去除腐蚀阻挡层；刻蚀介电层，使高于第一多晶硅层的介电层侧壁形成缺口；在所述多晶硅层以及介电层表面形成第二多晶硅层，并刻蚀形成字线。形成的SONOS快闪存储器避免在介电层之间以及介电层侧壁形成多晶硅残留。

主权项

1.一种SONOS快闪存储器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在半导体衬底上形成介质层-捕获电荷层-介质层的三层堆叠结构；在所述三层堆叠结构上依次形成第一多晶硅层、腐蚀阻挡层，所述第一多晶硅层的厚度为依次刻蚀腐蚀阻挡层和第一多晶硅层，形成开口；通过开口位置进行离子注入，在半导体衬底内形成源极和漏极；在开口内以及腐蚀阻挡层上形成介电层，并进行平坦化处理直至曝露出腐蚀阻挡层；去除腐蚀阻挡层；刻蚀介电层，使高于第一多晶硅层的介电层侧壁形成缺口；在所述第一多晶硅层以及介电层表面形成第二多晶硅层，并刻蚀第二多晶硅层形成字线。