| 发明名称 | 半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体发光元件，可提高外部量子效率、降低动作电压并提高可靠性。该发光元件包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的第一导电类型的第一半导体层；在所述第一半导体层上形成的用来发光的活性层；在所述活性层上形成的第二导电类型的第二半导体层；与所述第二半导体层接触的第二电极；以及与所述半导体衬底接触的第一电极；其中：所述第一半导体层、所述活性层、所述第二半导体层在所述透明衬底的部位形成脊形部件。 | ||
| 申请公布号 | CN101183699A | 申请公布日期 | 2008.05.21 |
| 申请号 | CN200710159720.2 | 申请日期 | 2001.06.29 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 冈崎治彦;菅原秀人 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 岳耀锋 |
| 主权项 | 1.一种发光元件，包括：半导体衬底；在所述透明衬底上形成的第一导电类型的第一半导体层；在所述第一半导体层上形成的用来发光的活性层；在所述活性层上形成的第二导电类型的第二半导体层；与所述第二半导体层接触的第二电极；以及与所述透明衬底接触的第一电极；其中：所述第一半导体层、所述活性层、所述第二半导体层在所述透明衬底的中央部位形成脊形部件。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||