| 发明名称 | 制作记忆单元元件之方法 | ||
| 摘要 | 一种制造记忆单元元件的方法,该元件包含一记忆材料元素(element),该记忆材料元素可由施加能量来改变电性,此方法包含沈积一导体层,沈积介电材料层,并将之蚀刻,以制作一第一电极与孔洞。于该孔洞中加入一记忆材料,以制作一记忆材料元素,该记忆材料元素与该第一电极接触。再制作一第二电极,与记忆材料元素接触。 | ||
| 申请公布号 | TW200822293 | 申请公布日期 | 2008.05.16 |
| 申请号 | TW095140493 | 申请日期 | 2006.11.01 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈介方 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 李贵敏 | |
| 主权项 | |||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 | ||