发明名称 以雷射制作氮化镓装置之方法
摘要 一种以雷射制作氮化镓装置之方法,系利用一雷射产生低于磊晶层可吸收之波长,并在一基板完成磊晶后或剥离制程之同时切割晶粒之大小,以完成薄膜式发光二极体晶粒结构,故本发明适用于各种键合之制程。另,有别于一般常用之薄膜式发光二极体制程,本发明还简化了一般乾蚀刻之制程,直接利用雷射来进行晶粒大小之定义,且该雷射只要能产生使氮化镓吸收之波长,无论系固态雷射亦或气体雷射,皆可应用于本发明之方法。
申请公布号 TW200822788 申请公布日期 2008.05.16
申请号 TW095141521 申请日期 2006.11.09
申请人 国立中央大学 发明人 刘正毓;林京亮;陈柏翰
分类号 H05B33/02(2006.01);C30B33/12(2006.01);B23K26/36(2006.01) 主分类号 H05B33/02(2006.01)
代理机构 代理人 欧奉璋
主权项
地址 桃园县中坜市中大路300号