发明名称 制造分段式晶片之方法
摘要 本发明提供一种制造分段式晶片之方法,其防止在研磨该等晶片之后表面时因晶片跳跃或因相邻晶片之接触而损坏该等晶片。一种藉由研磨一欲研磨材料之后表面制造分段式晶片之方法,该欲研磨材料包括复数个晶片,该等晶片系藉由在该等晶片之厚度方向上沿该等晶片之边界至少部分地切割该等晶片而分段成单个晶片之复数个晶片,其中藉由一液体黏着剂填充该等单个晶片之间的间隙,以暴露该欲研磨材料之后表面的方式将其层压于一刚性支撑材料上,且固化或凝固该黏着剂以形成一具有由以如下次序布置之该等复数个晶片、该黏着固体材料及该刚性支撑材料组成之该欲研磨材料层压板;自该欲研磨材料之后表面侧研磨该层压板,自该层压板移除该刚性支撑部件,将一挠性黏着片黏着至该黏着固体材料上,且拾取并回收该等单个晶片。
申请公布号 TW200822196 申请公布日期 2008.05.16
申请号 TW096123061 申请日期 2007.06.26
申请人 3M新设资产公司 发明人 秋山良太;齐藤一太
分类号 H01L21/304(2006.01) 主分类号 H01L21/304(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文;简秀如
主权项
地址 美国