高提取效率的半导体发光二极管结构

摘要

高提取效率的半导体发光二极管结构属于光电子器件制造技术领域，适合于多种波长的半导体LED。现有LED虽然内量子效率高，但是外量子效率很低，只有很少的一部分光子能够从LED出射。本实用新型提出在LED外延片上生长ITO透明导电膜与Si_xN_y介质膜组成的复合增透膜结构，ITO透明导电膜的光学厚度为二分之一LED发射波长的整数倍，Si_xN_y介质膜的光学厚度为四分之一LED发射波长的奇数倍，Si_xN_y介质膜的折射率是LED外延片最上层半导体材料的折射率的开方。这种设计能够在实现好的电流扩展的同时，将界面反射率降到最低来实现最佳增透作用，极大的提高外量子效率，使得光强增加了130％以上。

主权项

1.一种高提取效率的半导体发光二极管结构，包括LED外延片，其特征是在LED外延片的最上层半导体材料表面上依次生长光学厚度为1/2波长整数倍的ITO透明导电膜(3)和光学厚度为1/4波长奇数倍的SixNy介质膜(2)，并且SixNy介质膜(2)的折射率为LED外延片最上层半导体材料的折射率的开方，P电极(1)的底部与ITO透明导电膜(3)直接接触，P电极(1)的侧壁与SixNy 介质膜(2)直接接触。