| 发明名称 | 具有BPSG膜和SOD膜的基板的蚀刻液 | ||
| 摘要 | 本发明提供利用等速度或接近其的速度对由低温化处理制造的超微细器件的无退火的BPSG膜和热氧化膜以及无退火的SOD膜和热氧化膜进行蚀刻的蚀刻液、蚀刻方法和蚀刻处理物。具体地提供一种蚀刻液，其含有选自氟化物盐和二氟化物盐中的至少一种盐，和具有杂原子的有机溶剂，对热氧化膜(THOX)、无退火的BPSG(硼磷玻璃)膜、无退火的SOD(旋转涂布介电质)膜的蚀刻速率在23℃均为100/分钟以下，并且，无退火的BPSG膜的蚀刻速率/热氧化膜氧化膜的蚀刻速率的比值以及无退火的SOD膜的蚀刻速率/热氧化膜的蚀刻速率的比值均为3以下。 | ||
| 申请公布号 | CN101180712A | 申请公布日期 | 2008.05.14 |
| 申请号 | CN200680017912.3 | 申请日期 | 2006.05.24 |
| 申请人 | 大金工业株式会社 | 发明人 | 板野充司;渡边大祐 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/306(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种蚀刻液，其特征在于，含有选自氟化物盐和二氟化物盐中的至少一种盐，和具有杂原子的有机溶剂，对热氧化膜(THOX)、无退火的BPSG(硼磷玻璃)膜、无退火的SOD(旋转涂布介电质)膜的蚀刻速率在23℃均为100/分钟以下，并且，无退火的BPSG膜的蚀刻速率/热氧化膜的蚀刻速率的比值以及无退火的SOD膜的蚀刻速率/热氧化膜的蚀刻速率的比值均为3以下。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||