| 发明名称 | 载置装置、等离子体处理装置和等离子体处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种不会对被处理体产生重金属污染，而且经过长时间静电卡盘不会引起绝缘破坏的载置装置。本发明的载置装置，采用作为上述电极层的表面侧的绝缘层的静电卡盘层通过等离子体喷镀而形成，由厚度为200μm～280μm的氧化钇喷镀层构成，表面形成依存于喷镀的氧化钇的粒径的表面粗糙度的结构。这样的结构，对等离子体的耐久性在增高，并且不会引起重金属污染。 | ||
| 申请公布号 | CN101179045A | 申请公布日期 | 2008.05.14 |
| 申请号 | CN200710168038.X | 申请日期 | 2007.11.02 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 伊藤弘治;加藤健一;上田雄大 |
| 分类号 | H01L21/683(2006.01);H01L21/67(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/3213(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01J37/32(2006.01);H05H1/00(2006.01);B08B7/00(2006.01);C23F4/00(2006.01);C23C16/44(2006.01) | 主分类号 | H01L21/683(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种载置装置，包括：用于载置被处理体的载置体；和静电卡盘，其设置在该载置体上，通过向埋设于绝缘层的电极施加电压，在电极层和被处理体之间产生库仑力，将被处理体静电吸附在绝缘层的表面，所述载置装置的特征在于，作为所述电极层的表面侧的绝缘层的静电卡盘层通过等离子体喷镀而形成，由厚度为200μm～280μm的氧化钇喷镀层构成，表面形成依存于喷镀的氧化钇的粒径的表面粗糙度。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||