| 主权项 |
1.一种于一基材上制作具有低接触电阻接触窗的 方法,该基材具有P型之一第一掺杂区,此方法至少 包含: 形成一介电层于该基材上; 形成一介层窗于该介电层内,其中于该介层窗之底 部曝露部分该第一掺杂区; 形成P型之一第二掺杂区于该基材内,其中该第二 掺杂区域部分与该第一掺杂区域部分重叠; 形成一隔离层于该第二掺杂区之上,该隔离层中含 有钼或钽元素; 形成一阻障层于该隔离层之上与该介层窗之侧壁; 形成一金属插塞于该介层窗内,且该金属插塞填满 该介层窗; 形成一导电内连线于该介电层上;以及 进行一快速退火。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该隔 离层之方法包含离子植入法。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该隔 离层之方法包含一物理气相沉积法。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该隔 离层之方法包含一化学气相沉积法。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中P型之该 第一掺杂区与该第二掺杂区之掺质包含硼离子。 6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该阻障层 依序包含一第一钛层、一氮化钛层,以及一第二钛 层。 7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该插塞具 有一钨元素。 8.一种具有低接触电阻的接触窗结构,该接触窗结 构至少包含: 一基材,该基材具有一P型掺杂区; 一介电层,该介电层安置于该基材上,该介电层与 该基材共同定义一介层窗; 一阻障层,该阻障层之一面邻接该介层窗,且该阻 障层之另一面定义一接触窗; 一插塞形成于该接触窗中;以及 一隔离层,该隔离层安置于该P型掺杂区与该阻障 层之间,且该隔离层分隔该P型掺杂区与该阻障层, 其中该隔离层具有钼元素或钽元素。 9.如申请专利范围第8项所述之接触窗结构,其中该 阻障层包含一交界层,该交界层邻接该隔离层。 10.如申请专利范围第9项所述之接触窗结构,其中 该P型掺杂区系掺杂一硼离子,该交界层为一钛矽 层,且该阻障层于该钛矽层上依序包含一钛层、氮 化钛层,以及一钛层。 11.如申请专利范围第10项所述之接触窗结构,其中 该插塞系一钨层。 图式简单说明: 第一图为习知技术的插塞结构; 第二图(a)绘示制作本发明实施例插塞的第一步骤; 第二图(b)绘示制作本发明实施例插塞的第二步骤; 第二图(c)绘示制作本发明实施例插塞的第三步骤; 第二图(d)绘示制作本发明实施例插塞的第四步骤; 第二图(e)绘示制作本发明实施例插塞的第五步骤; 第三图绘示制作本发明实施例插塞的流程图; 第四图绘示一较佳具体实施例的插塞结构图。 |
