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发明名称 Integrierter Komplementär-Metalloxid-Halbleiter-Schaltkreis unter Verwendung eines erhöhten Source-Drains und eines Ersatz-Metall-Gates
摘要
申请公布号 DE112006001705(T5) 申请公布日期 2008.05.08
申请号 DE200611001705T 申请日期 2006.06.21
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 KAVALIEROS, JACK;CAPPELLANI, ANNALISA;BRASK, JUSTIN;DATTA, SUMAN;DOZCY, MARK;METZ, MATTHEW;BARNS, CHRIS;CHAU, ROBERT
分类号 H01L21/336;H01L21/28;H01L29/49;H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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