具有可变工艺气体分布的掩模刻蚀等离子体反应器

摘要

一种用于处理诸如掩模或晶圆的等离子体反应器包括具有圆柱形侧壁的真空腔室，在侧壁之上的顶部和在侧壁的顶边缘上支撑的环，并且该环支撑顶部，该环包括外表面和内表面。射频(RF)等离子体源功率施加器和耦合至该施加器的RF源功率发生器提供等离子体源功率。多个通道从外表面到内表面贯穿圆环在径向方向上延伸并沿着圆环的周长分隔。工艺气体供应提供工艺气体。腔室外部的外部气流管道围绕腔室外围延伸并耦合至工艺气体供应。腔室外部的多个外部气流阀在沿着管道分隔的每个位置处与外部管道耦合，每个阀具有：(a)在环的外表面处耦合至多个管道的每个的可控气体输出口以及(b)阀控制输入。气阀配置控制器控制每个阀的阀控制输入。

主权项

1.一种等离子体反应器包括：真空腔室，其包含圆柱状侧壁，叠在所述侧壁上的顶部和支撑在所述侧壁的顶边缘上并支撑所述顶部的环，所述环包含外表面和内表面；RF等离子体源功率施加器和耦合到所述施加器的RF源功率发生器；多个通道，在径向方向上穿过所述环从所述外表面到所述内表面延伸并沿着所述环的周长隔开；工艺气体供应；外部气流管道装置，在所述腔室的外部并延伸围绕所述腔室的外围以及耦合到所述工艺气体供应；多个外部气流阀，在所述腔室外部并在各自的隔开位置沿着所述管道耦合到所述外部管道，每个所述阀具有：(a)可控的气体输出口，在所述环的所述外部表面处耦合到所述多个通道的每个通道，以及(b)阀控制输入；以及气体阀配置控制器，其控制每个所述阀的阀控制输入。