发明名称 |
单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池 |
摘要 |
本发明是一种单晶硅太阳能电池的制造方法,包含:将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序;以该离子注入面作为贴合面,经由透明粘结剂,粘结该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序;固化该透明粘结剂的工序;对该离子注入层施予冲击,机械性剥离该单晶硅基板,来形成单晶硅层的工序;在该单晶硅层的该剥离面侧,形成多个第二导电型的扩散区域,并作成在该单晶硅层的该剥离面,存在多个第一导电型区域和多个第二导电型区域的工序;在该单晶硅层的该多个第一导电型区域上,分别形成多个个别电极的工序;以及形成各个集电电极的工序。由此提供一种单晶硅太阳能电池,将薄膜的光变换层作成结晶性高的单晶硅层,可提供作为透视型太阳能电池。 |
申请公布号 |
CN101174595A |
申请公布日期 |
2008.05.07 |
申请号 |
CN200710185125.6 |
申请日期 |
2007.10.30 |
申请人 |
信越化学工业株式会社 |
发明人 |
伊藤厚雄;秋山昌次;古屋昌浩;川合信;田中好一;久保田芳宏;飞坂优二 |
分类号 |
H01L21/84(2006.01);H01L27/142(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/84(2006.01) |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
高龙鑫 |
主权项 |
1.一种单晶硅太阳能电池的制造方法,是用以制造出在透明绝缘性基板上配置有作为光变换层的单晶硅层的单晶硅太阳能电池的方法,其特征为至少包含:准备透明绝缘性基板与第一导电型的单晶硅基板的工序;将氢离子或稀有气体离子中的至少一种,注入该单晶硅基板,来形成离子注入层的工序;以该离子注入面作为贴合面,经由透明粘结剂,粘结该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序;固化该透明粘结剂成为透明粘结层,并贴合该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序;对该离子注入层施予冲击,机械地剥离该单晶硅基板,来形成单晶硅层的工序;在该单晶硅层的该剥离面侧,形成多个与该第一导电型相异的导电型即第二导电型的扩散区域,至少在面方向形成多个pn结,并制成在该单晶硅层的该剥离面,存在多个第一导电型区域和多个第二导电型区域的工序;在该单晶硅层的该多个第一导电型区域上,分别形成多个第一个别电极,而在该多个第二导电型区域上,分别形成多个第二个别电极的工序;以及形成用以连结该多个第一个别电极的第一集电电极与用以连结该多个第二个别电极的第二集电电极的工序。 |
地址 |
日本东京都 |