| 发明名称 | 发光元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了发光元件，其具有由带隙能为2.2eV以上的宽带隙型氧化物半导体所构成的发光层部；该发光层部具有由p型金属包层、活性层及n型金属包层相互层叠的双异型构造，且前述p型金属包层与前述n型金属包层中的至少一方具有第一结晶层及第二结晶层，前述第一结晶层通过异型接合与前述活性层邻接，对载体显现障壁层的作用；第二结晶层在前述活性层的相反侧与该第一结晶层异型接合，其带隙能较该第一结晶层低。 | ||
| 申请公布号 | CN101174665A | 申请公布日期 | 2008.05.07 |
| 申请号 | CN200710168278.X | 申请日期 | 2002.07.24 |
| 申请人 | 信越半导体株式会社 | 发明人 | 石崎顺也 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 范征 |
| 主权项 | 1.发光元件，其特征在于，具有由带隙能为2.2eV以上的宽带隙型氧化物半导体所构成的发光层部；该发光层部具有由p型金属包层、活性层及n型金属包层相互层叠的双异型构造，且前述p型金属包层与前述n型金属包层中的至少一方具有第一结晶层及第二结晶层，前述第一结晶层通过异型接合与前述活性层邻接，对载体显现障壁层的作用；第二结晶层在前述活性层的相反侧与该第一结晶层异型接合，其带隙能较该第一结晶层低。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||