| 主权项 |
1.一种形成一互连以结合于一微电子工作件之一 导电性元件之一未穿透接触表面之方法,该方法包 含: 形成一孔穴于该工作件内,该孔穴具有一位于该工 作件之一第一外侧处的第一宽度及一延伸至该工 作件内之一中间高度的深度; 从该孔穴内之该中间高度建构一盲孔至该接触表 面,该盲孔具有一较小于该第一宽度之第二宽度; 以一导电性材料填充该盲孔;及 将该工作件从该第一外侧起薄化,直到该孔穴消失 。 2.如请求项1之方法,其中形成该孔穴包含于该工作 件内切削一渠沟,以致使该渠沟之一部分系对准于 该导电性元件。 3.如请求项1之方法,其中形成该孔穴包含于该工作 件内切削一孔,以致使该孔之一部分系对准于该导 电性元件。 4.如请求项1之方法,其中该微电子工作件包括复数 个晶粒,该等晶粒具有复数个设有接触表面之导电 性元件,及其中形成该孔穴包含于该工作件之该外 侧内形成复数个凹部,以致使该等凹部之一部分系 对准于一或多个该等接触表面。 5.如请求项4之方法,其中该等凹部系渠沟及/或孔, 其具有一从该外侧至该工作件内之该中间高度的 深度。 6.如请求项4之方法,其中形成该等凹部包含于该工 作件内以雷射切削复数个渠沟及/或孔。 7.如请求项4之方法,其中形成该等凹部包含使用一 研磨碟片于该工作件内切削复数个渠沟。 8.如请求项4之方法,其中形成该等凹部包含使用一 末端设有研磨剂之铣床机于该工作件内切削复数 个渠沟及/或孔。 9.如请求项4之方法,其中形成该等凹部包含于该工 作件内蚀刻复数个渠沟及/或孔。 10.如请求项9之方法,其中于该工作件内蚀刻复数 个渠沟及/或孔包含将一光阻剂层制图于该工作件 之该外侧上,及等向性蚀刻该工作件。 11.如请求项1之方法,其中建构该盲孔包含蚀刻一 孔,其具有该第二宽度及一从该孔穴内之中间高度 延伸至该接触表面的第二深度。 12.如请求项11之方法,其中蚀刻该孔包含一单相态 蚀刻制程。 13.如请求项11之方法,其中蚀刻该孔包含一双相态 蚀刻制程,其包括一第一相态,其中一第一蚀刻剂 系从该孔穴内之中间高度蚀刻至该接触表面上之 一氧化物,及一第二相态,其中一第二蚀刻剂系从 该氧化物蚀刻至该接触表面。 14.如请求项1之方法,其中建构该盲孔包含雷射钻 制一孔,其具有从该孔穴内之中间高度至该接触表 面的该第二宽度。 15.如请求项1之方法,其中以一导电性材料填充该 盲孔包含将该导电性材料电镀至该盲孔内。 16.如请求项15之方法,其中将该导电性材料电镀至 该盲孔内包含: 将一晶种层沉积至该工作件上及该盲孔内;及 在一电镀液内施加一电位至该晶种层。 17.如请求项15之方法,其中该导电性元件系在该工 作件之一相对立外侧上曝露,及其中将该导电性材 料电镀至该盲孔内包含: 将该导电性元件结合于一来自该工作件之相对立 外侧的电接点;及 在一电镀液内施加一电位通过该电接点至该导电 性元件,以利于该盲孔内之该导电性元件之该接触 表面上造成由下而上之电镀。 18.如请求项15之方法,其中将该导电性材料电镀至 该盲孔内,其包含将该材料以无电极式电镀至该盲 孔内之该导电性元件之该接触表面上。 19.如请求项15之方法,其中将该导电性材料电镀至 该盲孔内,其包含以一锌溶液洗涤该接触表面而在 该接触表面上形成一锌层,及将镍以无电极式电镀 至该盲孔内之该锌层上。 20.一种形成一互连以结合于一微电子工作件之一 导电性元件之一未穿透接触表面之方法,该方法包 含: 形成一第一开孔于该工作件内,该第一开孔具有一 第一宽度,且从该工作件之一外面延伸至该工作件 内之一中间深度; 形成一第二开孔,其系从该第一开孔内之中间深度 延伸至该接触表面,其中该第二开孔具有一较小于 该第一宽度之第二宽度; 以一导电性材料填充该第二开孔;及 将该材料从该工作件之外面去除,以形成一至少位 于该第一开孔之中间深度处的表面。 21.如请求项20之方法,其中形成该第一开孔包含于 该外面内形成一孔穴,及形成该第二开孔包含建构 一盲孔。 22.如请求项21之方法,其中: 形成该孔穴包含于该工作件内切削一渠沟,以致使 该渠沟之一部分系对准于该导电性元件; 建构该盲孔包含一双相态蚀刻制程,其包括一第一 相态,其中一第一蚀刻剂系从该渠沟蚀刻至该接触 表面上之一氧化物,及一第二相态,其中一第二蚀 刻剂系从该氧化物蚀刻至该接触表面;及 以一导电性材料填充该第二开孔,其包含将该导电 性材料电镀至该盲孔内。 23.如请求项21之方法,其中: 形成该孔穴包含于该工作件内切削一渠沟,以致使 该渠沟之一部分系对准于该导电性元件; 建构该盲孔包含从该渠沟蚀刻至该接触表面;及 以一导电性材料填充该第二开孔,其包含使用一由 下而上之电镀制程将该导电性材料电镀至该盲孔 内。 24.如请求项21之方法,其中: 形成该孔穴包含使用一雷射及/或一研磨工具于该 工作件内切削一渠沟,以致使该渠沟之一部分系对 准于该导电性元件; 建构该盲孔包含从该渠沟蚀刻至该接触表面;及 以一导电性材料填充该第二开孔包含将该导电性 材料电镀至该盲孔内。 25.如请求项21之方法,其中: 形成该孔穴包含使用一雷射及/或一研磨剂于该工 作件内切削一渠沟,以致使该渠沟之一部分系对准 于该导电性元件; 建构该盲孔包含一双相态蚀刻制程,其包括一第一 相态,其中一第一蚀刻剂系从该渠沟蚀刻至该接触 表面上之一氧化物,及一第二相态,其中一第二蚀 刻剂系从该氧化物蚀刻至该接触表面;及 以一导电性材料填充该第二开孔,其包含使用一由 下而上之电镀制程将该导电性材料电镀至该盲孔 内。 26.如请求项21之方法,其中: 形成该孔穴包含于该工作件内切削一孔,以致使该 孔之一部分系对准于该导电性元件; 建构该盲孔包含一双相态蚀刻制程,其包括一第一 相态,其中一第一蚀刻剂系从该孔蚀刻至该接触表 面上之一氧化物,及一第二相态,其中一第二蚀刻 剂系从该氧化物蚀刻至该接触表面;及 以一导电性材料填充该第二开孔包含将该导电性 材料电镀至该盲孔内。 27.如请求项21之方法,其中: 形成该孔穴包含于该工作件内切削一孔,以致使该 孔之一部分系对准于该导电性元件; 建构该盲孔包含从该孔蚀刻至该接触表面;及 以一导电性材料填充该第二开孔,其包含使用一由 下而上之电镀制程将该导电性材料电镀至该盲孔 内。 28.如请求项21之方法,其中: 形成该孔穴包含使用一雷射及/或一研磨工具于该 工作件内切削一孔,以致使该孔之一部分系对准于 该导电性元件; 建构该盲孔包含从该孔蚀刻至该接触表面;及 以一导电性材料填充该第二开孔包含将该导电性 材料电镀至该盲孔内。 29.如请求项21之方法,其中: 形成该孔穴包含使用一雷射及/或一研磨剂于该工 作件内切削一孔,以致使该孔之一部分系对准于该 导电性元件; 建构该盲孔包含一双相态蚀刻制程,其包括一第一 相态,其中一第一蚀刻剂系从该孔蚀刻至该接触表 面上之一氧化物,及一第二相态,其中一第二蚀刻 剂系从该氧化物蚀刻至该接触表面;及 以一导电性材料填充该第二开孔,其包含使用一由 下而上之电镀制程将该导电性材料电镀至该盲孔 内。 30.一种形成一互连以结合于一微电子工作件内所 嵌埋之一接触表面之方法,该工作件具有一背侧、 一前侧、及复数个设于该前侧之微电子晶粒,该方 法包含: 形成一第一开孔于该工作件内,该第一开孔具有(a) 一第一细孔,其具有一位于该工作件之背侧处的第 一宽度,及(b)一第一深度,系从该工作件之背侧延 伸至该工作件内之一中间高度,其中该中间高度相 隔于该接触表面; 形成一第二开孔于该工作件内,该第二开孔具有(a) 一第二细孔,其具有一位于该中间高度处的第二宽 度,及(b)一第二深度,其延伸至该接触表面,以致使 该接触表面透过该第二开孔而曝露,其中该第二宽 度较小于该第一宽度; 以一导电性材料填充该第二开孔;及 将该材料从该工作件之背侧去除,直到一背表面形 成于该接触表面与该中间高度之间。 31.如请求项30之方法,其中: 形成该第一开孔包含于该工作件内切削一渠沟,以 致使该渠沟之一部分系对准于该导电性元件; 形成该第二开孔包含一双相态蚀刻制程,其包括一 第一相态,其中一第一蚀刻剂系从该渠沟蚀刻至该 接触表面上之一氧化物,及一第二相态,其中一第 二蚀刻剂系从该氧化物蚀刻至该接触表面;及 以一导电性材料填充该第二开孔包含将该导电性 材料电镀至该第二开孔内。 32.如请求项30之方法,其中: 形成该第一开孔包含于该工作件内切削一渠沟,以 致使该渠沟之一部分系对准于该导电性元件; 形成该第二开孔包含从该渠沟蚀刻至该接触表面; 及 以一导电性材料填充该第二开孔,其包含使用一由 下而上之电镀制程将该导电性材料电镀至该第二 开孔内。 33.如请求项30之方法,其中: 形成该第一开孔包含使用一雷射及/或一研磨工具 于该工作件内切削一渠沟,以致使该渠沟之一部分 系对准于该导电性元件; 形成该第二开孔包含从该渠沟蚀刻至该接触表面; 及 以一导电性材料填充该第二开孔包含将该导电性 材料电镀至该第二开孔内。 34.如请求项30之方法,其中: 形成该第一开孔包含使用一雷射及/或一研磨剂于 该工作件内切削一渠沟,以致使该渠沟之一部分系 对准于该导电性元件; 形成该第二开孔包含一双相态蚀刻制程,其包括一 第一相态,其中一第一蚀刻剂系从该渠沟蚀刻至该 接触表面上之一氧化物,及一第二相态,其中一第 二蚀刻剂系从该氧化物蚀刻至该接触表面;及 以一导电性材料填充该第二开孔,其包含使用一由 下而上之电镀制程将该导电性材料电镀至该第二 开孔内。 35.如请求项30之方法,其中: 形成该第一开孔包含于该工作件内切削一孔,以致 使该孔之一部分系对准于该导电性元件; 形成该第二开孔包含一双相态蚀刻制程,其包括一 第一相态,其中一第一蚀刻剂系从该孔蚀刻至该接 触表面上之一氧化物,及一第二相态,其中一第二 蚀刻剂系从该氧化物蚀刻至该接触表面;及 以一导电性材料填充该第二开孔,其包含将该导电 性材料电镀至该第二开孔内。 36.如请求项30之方法,其中: 形成该第一开孔包含于该工作件内切削一孔,以致 使该孔之一部分系对准于该导电性元件; 形成该第二开孔包含从该孔蚀刻至该接触表面;及 以一导电性材料填充该第二开孔,其包含使用一由 下而上之电镀制程将该导电性材料电镀至该第二 开孔内。 37.如请求项30之方法,其中: 形成该第一开孔包含使用一雷射及/或一研磨工具 于该工作件内切削一孔,以致使该孔之一部分系对 准于该导电性元件; 形成该第二开孔包含从该孔蚀刻至该接触表面;及 以一导电性材料填充该第二开孔包含将该导电性 材料电镀至该第二开孔内。 38.如请求项30之方法,其中: 形成该第一开孔包含使用一雷射及/或一研磨剂于 该工作件内切削一孔,以致使该孔之一部分系对准 于该导电性元件; 形成该第二开孔包含一双相态蚀刻制程,其包括一 第一相态,其中一第一蚀刻剂系从该孔蚀刻至该接 触表面上之一氧化物,及一第二相态,其中一第二 蚀刻剂系从该氧化物蚀刻至该接触表面;及 以一导电性材料填充该第二开孔,其包含使用一由 下而上之电镀制程将该导电性材料电镀至该第二 开孔内。 39.一种形成一互连以结合于一微电子工作件内所 嵌埋之一接触表面之方法,该方法包含: 形成一第一开孔于该工作件内,该第一开孔具有一 第一宽度且从该工作件之一外表面延伸至该工作 件内之一中间深度; 形成一第二开孔于该工作件内且对准于该第一开 孔,该第二开孔系从该中间深度延伸至该接触表面 ,其中该第二开孔具有一较小于该第一宽度之第二 宽度; 以一导电性材料填充该第二开孔;及 将该第一开孔消除,以利形成一背表面于该中间深 度与该接触表面之间之一区域内。 40.如请求项39之方法,其中: 形成该第一开孔包含于该工作件内切削一渠沟,以 致使该渠沟之一部分系对准于该导电性元件; 形成该第二开孔包含一双相态蚀刻制程,其包括一 第一相态,其中一第一蚀刻剂系从该渠沟蚀刻至该 接触表面上之一氧化物,及一第二相态,其中一第 二蚀刻剂系从该氧化物蚀刻至该接触表面;及 以一导电性材料填充该第二开孔包含将该导电性 材料电镀至该第二开孔内。 41.如请求项39之方法,其中: 形成该第一开孔包含于该工作件内切削一渠沟,以 致使该渠沟之一部分系对准于该导电性元件; 形成该第二开孔包含从该渠沟蚀刻至该接触表面; 及 以一导电性材料填充该第二开孔,其包含使用一由 下而上之电镀制程将该导电性材料电镀至该第二 开孔内。 42.如请求项39之方法,其中: 形成该第一开孔包含使用一雷射及/或一研磨工具 于该工作件内切削一渠沟,以致使该渠沟之一部分 系对准于该导电性元件; 形成该第二开孔包含从该渠沟蚀刻至该接触表面; 及 以一导电性材料填充该第二开孔包含将该导电性 材料电镀至该第二开孔内。 43.如请求项39之方法,其中: 形成该第一开孔包含使用一雷射及/或一研磨剂于 该工作件内切削一渠沟,以致使该渠沟之一部分系 对准于该导电性元件; 形成该第二开孔包含一双相态蚀刻制程,其包括一 第一相态,其中一第一蚀刻剂系从该渠沟蚀刻至该 接触表面上之一氧化物,及一第二相态,其中一第 二蚀刻剂系从该氧化物蚀刻至该接触表面;及 以一导电性材料填充该第二开孔,其包含使用一由 下而上之电镀制程将该导电性材料电镀至该第二 开孔内。 44.如请求项39之方法,其中: 形成该第一开孔包含于该工作件内切削一孔,以致 使该孔之一部分系对准于该导电性元件; 形成该第二开孔包含一双相态蚀刻制程,其包括一 第一相态,其中一第一蚀刻剂系从该孔蚀刻至该接 触表面上之一氧化物,及一第二相态,其中一第二 蚀刻剂系从该氧化物蚀刻至该接触表面;及 以一导电性材料填充该第二开孔包含将该导电性 材料电镀至该第二开孔内。 45.如请求项39之方法,其中: 形成该第一开孔包含于该工作件内切削一孔,以致 使该孔之一部分系对准于该导电性元件; 形成该第二开孔包含从该孔蚀刻至该接触表面;及 以一导电性材料填充该第二开孔,其包含使用一由 下而上之电镀制程将该导电性材料电镀至该第二 开孔内。 46.如请求项39之方法,其中: 形成该第一开孔包含使用一雷射及/或一研磨工具 于该工作件内切削一孔,以致使该孔之一部分系对 准于该导电性元件; 形成该第二开孔包含从该孔蚀刻至该接触表面;及 以一导电性材料填充该第二开孔包含将该导电性 材料电镀至该第二开孔内。 47.如请求项39之方法,其中: 形成该第一开孔包含使用一雷射及/或一研磨剂于 该工作件内切削一孔,以致使该孔之一部分系对准 于该导电性元件; 形成该第二开孔包含一双相态蚀刻制程,其包括一 第一相态,其中一第一蚀刻剂系从该孔蚀刻至该接 触表面上之一氧化物,及一第二相态,其中一第二 蚀刻剂系从该氧化物蚀刻至该接触表面;及 以一导电性材料填充该第二开孔,其包含使用一由 下而上之电镀制程将该导电性材料电镀至该第二 开孔内。 48.一种形成一互连以结合于一微电子工作件内所 嵌埋之一接触表面的方法,该方法包含: 去除该工作件之一选定区域,以在该工作件内形成 一大面积之凹部,其具有一第一宽度及一位于该工 作件内之一第一深度处的端表面,其中该端表面相 隔于该接触表面; 形成一盲孔,系从该凹部之端表面延伸至该接触表 面,其中该盲孔具有一较小于该凹部之第一宽度的 第二宽度; 将一导电性材料沉积至该盲孔内,直到该盲孔被填 以该导电性材料;及 在该凹部被填以该导电性材料之前,结束将该导电 性材料沉积至该盲孔内。 49.如请求项48之方法,其中: 去除该工作件之选定区域包含于该工作件内切削 一渠沟,以致使该渠沟之一部分系对准于该导电性 元件; 形成该盲孔包含一双相态蚀刻制程,其包括一第一 相态,其中一第一蚀刻剂系从该渠沟蚀刻至该接触 表面上之一氧化物,及一第二相态,其中一第二蚀 刻剂系从该氧化物蚀刻至该接触表面;及 沉积该导电性材料包含将导电性材料电镀至该盲 孔内。 50.如请求项48之方法,其中: 去除该工作件之选定区域包含于该工作件内切削 一渠沟,以致使该渠沟之一部分系对准于该导电性 元件; 形成该盲孔包含从该渠沟蚀刻至该接触表面;及 沉积该导电性材料,其包含使用一由下而上之电镀 制程将该导电性材料电镀至该盲孔内。 51.如请求项48之方法,其中: 去除该工作件之选定区域包含使用一雷射及/或一 研磨工具于该工作件内切削一渠沟,以致使该渠沟 之一部分系对准于该导电性元件; 形成该盲孔包含从该渠沟蚀刻至该接触表面;及 沉积该导电性材料包含将导电性材料电镀至该盲 孔内。 52.如请求项48之方法,其中: 去除该工作件之选定区域包含使用一雷射及/或一 研磨剂于该工作件内切削一渠沟,以致使该渠沟之 一部分系对准于该导电性元件; 形成该盲孔包含一双相态蚀刻制程,其包括一第一 相态,其中一第一蚀刻剂系从该渠沟蚀刻至该接触 表面上之一氧化物,及一第二相态,其中一第二蚀 刻剂系从该氧化物蚀刻至该接触表面;及 沉积该导电性材料包含使用一由下而上之电镀制 程将该导电性材料电镀至该盲孔内。 53.如请求项48之方法,其中: 去除该工作件之选定区域包含于该工作件内切削 一孔,以致使该孔之一部分系对准于该导电性元件 ; 形成该盲孔包含一双相态蚀刻制程,其包括一第一 相态,其中一第一蚀刻剂系从该孔蚀刻至该接触表 面上之一氧化物,及一第二相态,其中一第二蚀刻 剂系从该氧化物蚀刻至该接触表面;及 沉积该导电性材料包含将导电性材料电镀至该盲 孔内。 54.如请求项48之方法,其中: 去除该工作件之选定区域包含于该工作件内切削 一孔,以致使该孔之一部分系对准于该导电性元件 ; 形成该盲孔包含从该孔蚀刻至该接触表面;及 沉积该导电性材料包含使用一由下而上之电镀制 程将该导电性材料电镀至该盲孔内。 55.如请求项48之方法,其中: 去除该工作件之选定区域包含使用一雷射及/或一 研磨工具于该工作件内切削一孔,以致使该孔之一 部分系对准于该导电性元件; 形成该盲孔包含从该孔蚀刻至该接触表面;及 沉积该导电性材料包含将导电性材料电镀至该盲 孔内。 56.如请求项48之方法,其中: 去除该工作件之选定区域包含使用一雷射及/或一 研磨剂于该工作件内切削一孔,以致使该孔之一部 分系对准于该导电性元件; 形成该盲孔包含一双相态蚀刻制程,其包括一第一 相态,其中一第一蚀刻剂系从该孔蚀刻至该接触表 面上之一氧化物,及一第二相态,其中一第二蚀刻 剂系从该氧化物蚀刻至该接触表面;及 沉积该导电性材料包含使用一由下而上之电镀制 程将该导电性材料电镀至该盲孔内。 57.一种微电子工作件,包含: 一基板,其具有一主动侧及一背侧; 复数个微电子晶粒,其设于该基板之主动侧,该等 晶粒包括具有未穿透之接触表面的导电性元件; 一孔穴,其设于该基板之背侧内,该孔穴具有一位 于该背侧处的第一宽度及一从该背侧延伸至该主 动侧与该背侧之间之一中间高度的深度; 一通孔,其设于该基板内,该通孔对准于该孔穴,且 从该中间高度延伸至其中一该导电性元件之一接 触表面,其中该通孔具有一较小于该第一宽度之第 二宽度;及 一导电性材料,其设于该通孔内,该导电性材料填 入该通孔但是未填入该孔穴,以致使一空隙可在该 导电性材料填入该通孔后仍留在该孔穴内。 58.一种微电子工作件,包含: 一基板,其具有一主动侧及一背侧; 复数个晶粒,其设于该基板之主动侧,该等晶粒包 括具有未穿透之接触表面的导电性元件; 一第一开孔,系从该背侧延伸至该基板内之一中间 高度,其中该第一开孔系位于随后当该工作件薄化 时会被去除之该基板之一牺牲部分内; 一第二开孔,其对准于该第一开孔且延伸至其中一 该导电性元件之一接触表面;及 一导电性材料,其设于该第二开孔内。 图式简单说明: 图1A-1E系截面图,说明根据本发明之一实施例之一 形成互连的方法之多数个阶段中之工作件之一部 分。 图2A-2B系截面图,详细说明根据本发明之一实施例 之一形成互连的方法之多数个阶段中之工作件之 一部分。 图3A-3D系截面图,说明根据本发明之另一实施例之 一形成互连的方法之多数个阶段中之工作件之一 部分。 图4系一工作件之一部分截面图,说明根据本发明 之又一实施例之一形成互连的方法之一阶段。 图5A-5E系一工作件之一部分截面图,说明根据本发 明之再一实施例之一形成互连的方法之多数个阶 段。 图6A-6C系一工作件之一部分截面图,说明根据本发 明之又再一实施例之一形成互连的方法之多数个 阶段。 图7A-7C系一工作件之一部分截面图,说明根据本发 明之另一实施例之一形成互连的方法之多数个阶 段。 |
