| 主权项 |
1.一种媒质注入器,用以将特别为流体之媒质输进 程序室,其最好具一输入装置及至少一槽做为媒质 之输送开口,其中槽具至少二槽边界面,在边界面 间设有槽室,其特征为,至少一槽边界面是由第一 管件之至少一顶面之至少一部份所构成。 2.根据申请专利范围第1项所述之媒质注入器,其特 征为,与第一槽边界面相对立之第二槽边界面由第 二管件之顶面之至少一部份所构成。 3.根据申请专利范围第1项所述之媒质注入器,其特 征为,与第一槽边界面相对立之第二槽边界面由非 环形工件之表面,最好为平面所构成。 4.根据申请专利范围第1项所述之媒质注入器,其特 征为,为构成结构化槽室,设有多个顶面。 5.根据申请专利范围第1项所述之媒质注入器,其特 征为,槽至少具有二槽片段。 6.根据申请专利范围第1项所述之媒质注入器,其特 征为,为最好构成贯通之槽,管件有封闭周边之截 面。 7.根据申请专利范围第6项所述之媒质注入器,其特 征为,管件具圆形,椭圆形,多边形,或长方形截面。 8.根据申请专利范围第6项所述之媒质注入器,其特 征为,管件由实体材料车削而成或为无缝焊接管或 是拉伸之管。 9.根据申请专利范围第1项所述之媒质注入器,其特 征为,至少一元件,组件或工件之定位是藉由形封 闭之固定方法。 10.根据申请专利范围第1项所述之媒质注入器,其 特征为,槽是由二具间距且上下叠置之圆环构成。 11.根据申请专利范围第10项所述之媒质注入器,其 特征为,为定心或自动定心之故,一圆环被置于另 一圆环内。 12.根据申请专利范围第1项所述之媒质注入器,其 特征为,为影响尤其是为提高媒质流动之均匀性, 在槽前设置至少一暂存室,其最好藉由洞形式或槽 形式之开口与程序室相连。 13.根据申请专利范围第1项所述之媒质注入器,其 特征为,在槽室或与之相连之室范围内设有凸耳, 以形成遮覆区域。 14.根据申请专利范围第1项所述之媒质注入器,其 特征为,至少在槽室之一部份内设有至少一嵌入元 件。 15.根据申请专利范围第14项所述之媒质注入器,其 特征为,至少一嵌入元件具有一暂存室,用以输送 媒质进入槽室。 16.根据申请专利范围第14项或第15项所述之媒质注 入器,其特征为,至少一嵌入元件是由至少一管件 构成。 17.根据申请专利范围第1项所述之媒质注入器,其 特征为,至少一输入管是整合进至少一管件内。 18.根据申请专利范围第1项所述之媒质注入器,其 特征为,至少一元件,组件或工件具主动或被动冷 却元件。 19.根据申请专利范围第1项所述之媒质注入器,其 特征为,元件,组件或工件之材料为导体,最好是金 属,尤其是钢、不锈钢、钛、铝、铜、钽、钨、钼 、石墨、半导体或最好是陶瓷或塑料之绝缘体。 20.根据申请专利范围第1项所述之媒质注入器,其 特征为,至少一元件,组件或工件之表面上至少一 部份涂有另一材料之薄膜,尤其是涂有保护性薄膜 材料。 21.根据申请专利范围第1项所述之媒质注入器,其 特征为,槽是电极设计之一部份。 22.根据申请专利范围第1项所述之媒质注入器,其 特征为,至少部分之槽边界面至少在部分时间范围 具有不同之电位。 23.根据申请专利范围第1项所述之媒质注入器,其 特征为,槽至少部分围绕程序室。 24.根据申请专利范围第1项所述之媒质注入器,其 特征为,电浆装置为输入媒质至可引发电浆之电浆 室,以进行表面涂膜,设有一媒质注入器。 25.根据申请专利范围第24项所述之媒质注入器,其 特征为,电浆藉自发或非自发之气体放电,以具磁 场或无磁场或藉由一电子或离子源产生。 26.根据申请专利范围第24项或第25项所述之媒质注 入器,其特征为,槽配置有一法拉第电浆暗室。 27.一种具至少一媒质注入器之电浆装置,其特征为 ,媒质注入器为根据申请专利范围第1项加以设计 。 28.根据申请专利范围第27项所述之电浆装置,其特 征为,此装置作为电浆源具至少一阴极以产生电子 ,将气体离子化,并至少设有一与阴极配对之阳极 。 29.根据申请专利范围第28项所述之电浆装置,其特 征为,阴极及阳极是设置在程序室内。 30.根据申请专利范围第28项或第29项所述之电浆装 置,其特征为,阳极具圆柱形状,且于轴向与阴极有 偏置量。 31.根据申请专利范围第28项所述之电浆装置,其特 征为,媒质可穿过槽输进于轴向与阳极偏置,且与 阴极相对立之程序室侧之设定范围。 32.根据申请专利范围第28项所述之电浆装置,其特 征为,媒质可穿过槽输进于阳极及阴极间设定之程 序室范围。 33.根据申请专利范围第28项所述之电浆装置,其特 征为,媒质可输进于阴极侧之与在轴向与阳极偏置 之程序室指定范围。 34.根据申请专利范围第28项所述之电浆装置,其特 征为,媒质可穿过槽输进阳极或阴极范围。 35.一种具至少一媒质注入器之离子装置,其特征为 ,媒质注入器为根据申请专利范围第1项加以设计 。 36.根据申请专利范围第35项所述之离子装置,其特 征为,此装置作为离子源具至少一阴极以产生电子 ,将气体离子化,并至少设有一与阴极配对之阳极 。 37.根据申请专利范围第36项所述之离子装置,其特 征为,阴极及阳极是设置在程序室内。 38.根据申请专利范围第36项或第37项所述之离子装 置,其特征为,阳极具圆柱形状,且于轴向与阴极有 偏置量。 39.根据申请专利范围第35项所述之离子装置,其特 征为,媒质可穿过槽输进于轴向与阳极偏置,且与 阴极相对立之程序室侧之设定范围。 40.根据申请专利范围第35项所述之离子装置,其特 征为,媒质可穿过槽输进于阳极及阴极间设定之程 序室范围。 41.根据申请专利范围第35项所述之离子装置,其特 征为,媒质可输进于阴极侧之与在轴向与阳极偏置 之程序室指定范围。 42.根据申请专利范围第35项所述之离子装置,其特 征为,媒质可穿过槽输进阳极或阴极范围。 43.一种溅镀装置,用于基板之涂膜,其具至少一溅 镀气体或反应气体用之气体输入装置,及一溅镀阴 极,此溅镀阴极具至少一具溅镀表面之溅镀标靶, 其特征为,至少一气体输入装置是作为根据申请专 利范围第1项所述之媒质注入器。 44.根据申请专利范围第43项所述之溅镀装置,其特 征为,媒质注入器之一槽设置于溅镀表面之上部范 围。 45.根据申请专利范围第43项或第44项所述之溅镀装 置,其特征为,至少一槽边界面设计成遮蔽元件或 遮蔽元件之一部份。 46.根据申请专利范围第43项所述之溅镀装置,其特 征为,媒质注入器具至少二最好为轴向或径向相互 偏置之槽,以导入相同或不同气体。 图式简单说明: 图一 技术现况中已知之环形喷头; 图二 媒质注入器; 图三 媒质注入器之槽设计; 图四 具暂存室媒质注入器之剖面图; 图五 具一溢流设计之媒质注入器; 图六 加入工件之槽室设计; 图七 具一设置于二电极间气体喷头之媒质注入器 ; 图八 主要用于电浆源之媒质注入器; 图九 图八实施形式之衍生; 图十 主要用于电浆源之另一媒质注入器实施形式 ; 图十一 基本上为转动对称之媒质注入器之水平剖 面; 图十二 四方形电浆源之水平剖面; 图十三 具媒质注入器,转动对称之电浆源之立体 图; 图十四至图十七 具媒质注入器之溅镀装置垂直剖 面图。 |
