低光学反馈杂讯之自脉动半导体雷射

摘要

一种自脉动半导体雷射,包含:一下部覆盖层,形成于一半导体基板上;一活性层,形成于该下部覆盖层上;一第1上部覆盖层,形成于该活性层上;一第2上部覆盖层,形成于该第1上部覆盖层上;及一阻挡层。该第2上部覆盖层具有一台地结构。该阻挡层形成于该第2上部覆盖层两侧上且包含一层体,该层体之能隙大于该活性层之能隙。当实施自脉动,可饱和吸收区形成于一增益区之两侧上。该第1上部覆盖层之厚度d,满足以下关系式:220nm≦d≦450nm。可于一广温度范围内,达成稳定的自脉动。