一种射频识别标签及其制备方法

摘要

本发明公开了一种射频识别标签及其制备方法。该射频识别标签包含硅片，集成在硅片正面的电路模块和在片天线，硅片包括硅片层和多孔硅衬底层，硅片层厚度为1－40微米，优选5微米。该制备方法包括以下步骤：1)在硅片正面制备电路模块及在片天线；2)将硅片固定于加有腐蚀液的腐蚀槽中，通电进行阳极氧化反应；腐蚀液为氢氟酸和乙醇的混合液或氢氟酸和二甲基甲酰胺的混合液；通电进行阳极氧化反应的电流密度为5mA/cm²－100mA/cm²。本发明提供的射频识别标签，衬底损耗显著降低，能将天线有效集成在标签上，极大减小了射频标签芯片的面积；制备方法与现有CMOS工艺完全兼容，成本低廉，工艺简单，非常适合射频识别标签的大规模工业生产。

主权项

1.一种射频识别标签，包含硅片，集成在所述硅片正面的电路模块及围绕所述电路模块的在片天线，其特征在于：所述硅片包括硅片层和多孔硅衬底层，所述多孔硅衬底层位于所述硅片背面。