| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置及其制造方法，谋求可靠性的提高。在形成有焊盘电极53的硅晶片(51)的表面粘接玻璃衬底(56)。其次，形成从硅晶片(51)的背面到达焊盘电极(53)的通孔(81)，同时，形成沿切割线中心DS延伸，且从硅晶片(51)的背面贯通硅晶片(51)的槽(82)。然后，利用含有伴随加热处理的工序的各种工序在硅晶片(51)的背面形成缓冲层(60)、配线层(63)、焊接掩模(65)、焊球(66)。最后，将支承在玻璃衬底(56)上的硅晶片(51)切割成各个硅片(51A)。 | ||
| 申请公布号 | CN100385621C | 申请公布日期 | 2008.04.30 |
| 申请号 | CN200510009364.7 | 申请日期 | 2005.02.17 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 龟山工次郎;铃木彰;冈山芳央 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L23/522(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李贵亮;杨梧 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：准备具有多个形成有焊盘电极的半导体芯片的半导体衬底，并在形成有所述焊盘电极的所述半导体衬底的第一主面上粘接支承体的工序；在形成用于从所述半导体衬底的第二主面露出所述焊盘电极的通孔的同时，形成在相邻半导体芯片的边界部分将该半导体衬底分离为各个半导体芯片而进行单片化的槽的工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||