| 发明名称 | 光致抗蚀剂组合物及形成光致抗蚀剂图案的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于远紫外区的光致抗蚀剂的组合物以及用于形成光致抗蚀剂图案的方法。更具体地，小于50nm而不塌陷的精细光致抗蚀剂图案以EUV(远紫外线)作为曝光光源，使用包含三聚氰胺衍生物及聚乙烯基苯酚的负型光致抗蚀剂组合物来形成。 | ||
| 申请公布号 | CN100383666C | 申请公布日期 | 2008.04.23 |
| 申请号 | CN200410069634.9 | 申请日期 | 2004.07.15 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 郑载昌 |
| 分类号 | G03F7/004(2006.01);G03F7/20(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | G03F7/004(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 封新琴;巫肖南 |
| 主权项 | 1.一种用于形成光致抗蚀剂图案的方法，其包含以下步骤：(a)制备光致抗蚀剂组合物，其包含三聚氰胺衍生物、聚乙烯基苯酚型聚合物、光酸产生剂及有机溶剂；(b)将所述光致抗蚀剂组合物涂覆在待蚀刻的底层的顶部，以形成光致抗蚀剂薄膜；(c)用EUV光使该光致抗蚀剂薄膜曝光；(d)烘烤该已曝光的光致抗蚀剂薄膜；及(e)使形成的结构显影，以得到光致抗蚀剂图案，其中所述的三聚氰胺衍生物为通式1所示的化合物：[通式1]<img file="C2004100696340002C1.GIF" wi="629" he="520" />其中R<sub>1</sub>及R<sub>2</sub>独立为C<sub>1</sub>-C<sub>20</sub>烷基或C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>醚基。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||