| 发明名称 | 三维存储器的平面解码方法与元件 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种三维存储器的平面解码方法与元件，该三维多层存储器元件，包括多个存储核心单元中的多数层膜层。加上一字平面，是电性连结到与字平面交接的存储核心单元中多数层膜层的每一第一主动端。还有一漏极平面，是大体上垂直于字平面且电性连结到与漏极平面交接的多个存储核心单元中多数层膜层的每一第二主动端。以及一源极平面，在一单一层级中大体上垂直字平面与漏极平面，且电性连结多个存储核心单元的每一第三主动端。在一实施例中，这些存储核心单元是藉由具有三主动端的元件所定义。 | ||
| 申请公布号 | CN100383973C | 申请公布日期 | 2008.04.23 |
| 申请号 | CN200510007346.5 | 申请日期 | 2005.02.04 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 吕函庭;李明修 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);H01L21/82(2006.01);G11C11/34(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1.一种多层存储器元件，其特征在于其包括：多个存储核心单元中的多数层膜层；一字平面，电性连结到与该字平面交接的所述多个存储核心单元中所述多个膜层的每一第一主动端；一漏极平面，大体上垂直于该字平面且电性连结到与该漏极平面交接的所述多个存储核心单元中所述多个膜层的每一第二主动端；以及一源极平面，在一单一层级中大体上垂直该字平面与该漏极平面，且电性连结所述多个存储核心单元的每一第三主动端。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||