| 发明名称 | 非易失性存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 非易失性存储器件包括在其中具有第一和第二半导体有源区的衬底。通过其中具有沿着其长度延伸的凹槽的沟槽隔离区将所述有源区分开。提供第一和第二浮栅电极。所述第一和第二浮栅电极分别在第一和第二半导体有源区上延伸。提供在第一和第二浮栅电极之间延伸并且延伸到沟槽隔离区中的凹槽中的控制电极。沟槽隔离区中的凹槽足够深，从而延伸到凹槽中的控制电极操作以减少(或阻止)在第一和第二浮栅电极之间的寄生耦合电容。 | ||
| 申请公布号 | CN101165902A | 申请公布日期 | 2008.04.23 |
| 申请号 | CN200710181849.3 | 申请日期 | 2007.10.19 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴凤泰;崔定爀 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L29/788(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 黄启行;穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种非易失性存储器件，其包括：衬底，在所述衬底中具有被沟槽隔离区相互分开的第一和第二半导体有源区，所述沟槽隔离区中具有沿着其长度延伸的凹槽；分别在所述第一和第二半导体有源区上延伸的第一和第二浮栅电极；以及在所述第一和第二浮栅电极之间延伸并且延伸到所述沟槽隔离区中的凹槽的控制电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||