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Ein Halbleiterbauteil (1) weist einen vertikalen Transistor (2) und eine Außenkontaktebene (9) auf. einer ersten Lastelektrode (5, 7) und einer Steuerelektrode (6) und eine gegenüberliegende zweite Seite (4) mit einer zweiten Lastelektrode (11) auf. Die erste Seite (3) des Transistors (2) ist der Außenkontaktebene (9) zugewandt. Eine dielektrische Schicht (19) erstreckt sich von mindestens einer Randseite (20) des Transistors (2) bis zum zweiten Lastanschluss (13, 17). Eine elektrisch leitende abgeschiedene Schicht (25) ist auf der dielektrischen Schicht (19) angeordnet und verbindet elektrisch die zweite Lastelektrode (11) mit dem zweiten Lastanschluss (13, 17). |
