| 发明名称 | 共享全局性字线磁性随机存取存储器 | ||
| 摘要 | 本发明包括提供共享全局性字线MRAM结构的装置和方法。该MRAM结构包括取向为第一方向的第一位线导线。取向为第二方向的第一读出线导线。第一存储单元物理连接于第一位线导线和第一读出线导线之间。全局性字线基本取向为第二方向，而且磁性耦合于第一存储单元。第二位线导线基本取向为第一方向。第二读出线导线基本取向为第二方向。第二存储单元物理连接于第二位线导线和第二读出线导线之间。全局性字线也磁性耦合于第二存储单元。第一存储单元和第二存储单元可以是MRAM器件。MRAM器件的逻辑状态可由MRAM器件的磁化取向确定。 | ||
| 申请公布号 | CN100380519C | 申请公布日期 | 2008.04.09 |
| 申请号 | CN03106026.9 | 申请日期 | 2003.02.20 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | H·李;F·A·佩尔纳 |
| 分类号 | G11C11/15(2006.01);H01L43/00(2006.01) | 主分类号 | G11C11/15(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶风波 |
| 主权项 | 1.一种共享全局性字线MRAM结构，包括：取向为第一方向的第一位线导线[342]；取向为第二方向的第一读出线导线[360]；物理连接于第一位线导线[342]和第一读出线导线[360]间的第一存储单元[322]；基本取向为第二方向而且磁性耦合于第一存储单元[322]的全局性字线[310]；基本取向为第一方向的第二位线导线[352]；基本取向为第二方向的第二读出线导线[362]；及物理连接于第二位线导线[352]和第二读出线导线[362]间的第二存储单元[332]；其中全局性字线[310]又磁性耦合于第二存储单元[332]。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||